| 公开(公告)号 | CN1233652C |
| 公开(公告)日 | 2005.12.28 |
| 申请(专利)号 | CN200410014458.9 |
| 申请日期 | 2004.03.23 |
| 专利名称 | 高纯葛根素的结晶纯化方法 |
| 主分类号 | C07H17/07 |
| 分类号 | C07H17/07;C07H1/06 |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 合肥工业大学 |
| 发明(设计)人 | 潘 见;王华峰 |
| 地址 | 230009安徽省合肥市屯溪路193号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 |
| 代理人 | 吴启运;何梅生 |
| 国省代码 | 安徽;34 |
| 主权项 | 一种高纯葛根素的结晶纯化方法，包括葛根素浸膏自溶液中的结晶以及晶体的分离、干燥各单元过程，其特征在于：所述的结晶是首先将葛根素浸膏溶解于溶剂中得到葛根素溶液，然后将该葛根素溶液置于磁通量密度为0.1～10特斯拉的恒定的或变化的磁场中电磁诱导结晶。 |
| 摘要 | 一种高纯葛根素的结晶纯化方法，将90％葛根素浸膏溶解在溶剂中，将该过饱和溶液置于磁通量密度为0.1～10特斯拉的恒定的或变化的磁场中进行电磁诱导结晶，一次结晶纯度超过95％，2～5次结晶后纯度可达99.7％。本结晶方法工艺简单，无需冷冻干燥或喷雾干燥等复杂的耗能工艺，适合制备超纯的或标准的葛根素，也适合产业化批量生产。 |
| 国际公布 |
