| 公开(公告)号 | CN1971921A |
| 公开(公告)日 | 2007.05.30 |
| 申请(专利)号 | CN200510126854.5 |
| 申请日期 | 2005.11.24 |
| 专利名称 | 半导体元件与内连线结构及各自的制作方法 |
| 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 联华电子股份有限公司 |
| 发明(设计)人 | 姜元升;陈炫旭 |
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 国省代码 | 台湾;TW |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括： 一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，其中该第二区域为一光感测区； 一晶体管，配置于该第一区域的该基底上； 一硬掩模层，配置于该第二区域的该基底上；以及 一抗反射层，配置于该硬掩模层与该基底之间。 |
| 摘要 | 一种半导体元件，此半导体元件包括一基底、一晶体管、一硬掩模层与一抗反射层。基底具有第一区域与第二区域，其中第二区域为光感测区。晶体管配置于第一区域的基底上。硬掩模层配置于第二区域的基底上。抗反射层配置于硬掩模层与基底之间。 |
| 国际公布 |
