| 公开(公告)号 | CN1205167C |
| 公开(公告)日 | 2005.06.08 |
| 申请(专利)号 | CN00801343.8 |
| 申请日期 | 2000.05.01 |
| 专利名称 | 2-羟基萘-3-羧酸的结晶及其制造方法 |
| 主分类号 | C07C65/11 |
| 分类号 | C07C65/11;C07C51/41 |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | 1999.5.7 JP 127158/1999 |
| 申请(专利权)人 | 株式会社上野制药应用研究所 |
| 发明(设计)人 | 上野隆三;北山雅也;泉地信孝;加藤博行 |
| 地址 | 日本大阪府大阪市 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | PCT/JP2000/002862 2000.5.1 |
| 进入国家日期 | 2001.03.07 |
| 专利代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 代理人 | 曹雯;杨丽琴 |
| 国省代码 | 日本;JP |
| 主权项 | 2-羟基萘-3-羧酸的结晶，其特征在于，平均粒径为157μm以上，74μm以下的粒子的比例是14％以下，光亮度是38-69，白度是4.6-18.0。 |
| 摘要 | 本发明提供了2-羟基萘-3-羧酸(BON)的结晶，其特征在于，平均粒径157μm以上，74μm以下的粒子的比例是14％以下。本发明的结晶可以采用包含有BON的重结晶工序、特别是在高温下的重结晶工序以及在高温下进行BON制造工艺过程中的酸析的工序中的任一工序的方法制造。 |
| 国际公布 | WO2000/068177 日 2000.11.16 |
